casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V30100PW-M3/4W
codice articolo del costruttore | V30100PW-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-V30100PW-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
V30100PW-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 450µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PW |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V30100PW-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V30100PW-M3/4W-FT |
ACDST-2004S-HF
Comchip Technology
BAT54C-G
Comchip Technology
BAV99-G
Comchip Technology
BAT54A-G
Comchip Technology
CDST-99-HF
Comchip Technology
BAW56-G
Comchip Technology
CDST-99-G
Comchip Technology
ACDST-70-G
Comchip Technology
ACDST-99-G
Comchip Technology
CDBT-40S-G
Comchip Technology
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel