casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V60200PGW-M3/4W
codice articolo del costruttore | V60200PGW-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-V60200PGW-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
V60200PGW-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.48V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 210µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PW |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V60200PGW-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V60200PGW-M3/4W-FT |
CDST-99-G
Comchip Technology
ACDST-70-G
Comchip Technology
ACDST-99-G
Comchip Technology
CDBT-40S-G
Comchip Technology
CDBT-54A-G
Comchip Technology
CDBT-54C-G
Comchip Technology
CDBT-54S-G
Comchip Technology
CDBT-70C-G
Comchip Technology
CDBT-70S-G
Comchip Technology
CDST-21A-G
Comchip Technology
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel