casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VF30100SG-E3/45
codice articolo del costruttore | VF30100SG-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-VF30100SG-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VF30100SG-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 350µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF30100SG-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VF30100SG-E3/45-FT |
BAS20-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAL99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAL99-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAL99-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAL99-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel