casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS20-E3-18
codice articolo del costruttore | BAS20-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS20-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS20-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS20-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS20-E3-18-FT |
VS-SD803C14S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD803C16S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C12S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C12S30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C20S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C25S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C25S30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PH6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35APF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel