casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS16-E3-08
codice articolo del costruttore | BAS16-E3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS16-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS16-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16-E3-08-FT |
VS-SD823C25S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C25S30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PH6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35APF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35APF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45APS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel