casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VF20150C-E3/4W
codice articolo del costruttore | VF20150C-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VF20150C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VF20150C-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF20150C-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VF20150C-E3/4W-FT |
BAS70-04-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-06-V-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-04-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-04-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-04-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-04-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-04-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation