casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS40-05-G3-18
codice articolo del costruttore | BAS40-05-G3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAS40-05-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS40-05-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40-05-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS40-05-G3-18-FT |
VS-MBRB2090CTGPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTGTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTGTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel