casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS70-06-V-GS18
codice articolo del costruttore | BAS70-06-V-GS18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS70-06-V-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS70-06-V-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 410mV @ 1mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70-06-V-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS70-06-V-GS18-FT |
VS-MBRB2045CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTGPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTGTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTGTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTGPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTGTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTGTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel