casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VBT6045CBP-M3/4W
codice articolo del costruttore | VBT6045CBP-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VBT6045CBP-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VBT6045CBP-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 640mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT6045CBP-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBT6045CBP-M3/4W-FT |
VB20200C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20200G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20202C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20202G-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20M120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20M120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40UP5K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
Intel
10M25DCF256C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation