casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VB20202G-M3/4W
codice articolo del costruttore | VB20202G-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VB20202G-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB20202G-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20202G-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB20202G-M3/4W-FT |
VBT6045CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVB32-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
EX64-FTQ100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-2FGG676C
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2LN
Intel
XC7VX690T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FF1148I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I1HG
Intel