casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VB20200G-E3/4W
codice articolo del costruttore | VB20200G-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VB20200G-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB20200G-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20200G-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB20200G-E3/4W-FT |
VB40100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2045CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT6045CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVB32-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel