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Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8KTHE3_A/P

Name: NSB8KTHE3_A/P
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: NSB8KTHE3_A/P
Price: 0.58128 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (691 reviews)

Numero parte MFG: NSB8KTHE3_A/P

quantità disponibile: 38010 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.58128

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NSB8KTHE3_A/P.pdf

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NSB8KTHE3_A/P specificazioni

codice articolo del costruttore	NSB8KTHE3_A/P
Numero di parte futuro	FT-NSB8KTHE3_A/P
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NSB8KTHE3_A/P Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	800V
Corrente: media rettificata (Io)	8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 8A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F	55pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263AB
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NSB8KTHE3_A/P Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NSB8KTHE3_A/P-FT

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