casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SBLB10L25HE3_A/P
codice articolo del costruttore | SBLB10L25HE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-SBLB10L25HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SBLB10L25HE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 25V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 460mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBLB10L25HE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBLB10L25HE3_A/P-FT |
1N4448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4154TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4454-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4454-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel