casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VBT3080C-M3/8W
codice articolo del costruttore | VBT3080C-M3/8W |
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Numero di parte futuro | FT-VBT3080C-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VBT3080C-M3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 700µA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT3080C-M3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBT3080C-M3/8W-FT |
VB10150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10170C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10170C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC4028XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
AX500-FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ352B
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
5SGXEA7N3F40I3N
Intel
5AGXMA5D4F27C4N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
A40MX04-2PL44
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation