casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VB10170C-E3/8W
codice articolo del costruttore | VB10170C-E3/8W |
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Numero di parte futuro | FT-VB10170C-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB10170C-E3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 170V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.03V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 90µA @ 170V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB10170C-E3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB10170C-E3/8W-FT |
VS-16CDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CDH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40100C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30200C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP4CGX30CF23C7N
Intel
5SGSED8N3F45C3N
Intel
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP20K200BC356-3
Intel