casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VB10150C-E3/4W
codice articolo del costruttore | VB10150C-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VB10150C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB10150C-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.41V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB10150C-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB10150C-E3/4W-FT |
V60DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CDH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel