casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VBT1045C-E3/4W
codice articolo del costruttore | VBT1045C-E3/4W |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VBT1045C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
VBT1045C-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT1045C-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBT1045C-E3/4W-FT |
VB60170G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTQ150SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT30L60C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel