casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-30CTH02S-M3
codice articolo del costruttore | VS-30CTH02S-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30CTH02S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-30CTH02S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTH02S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30CTH02S-M3-FT |
V60DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CDH06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CDH06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel