casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MB10H100CTHE3_A/P
codice articolo del costruttore | MB10H100CTHE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-MB10H100CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MB10H100CTHE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 760mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3.5µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB10H100CTHE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB10H100CTHE3_A/P-FT |
VS-10CDH06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D202C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D202CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D45CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20D202C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQI
Microchip Technology
EP2C35F484I8
Intel
EP4CE15F17A7N
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
ICE40LM4K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC208-1
Intel