casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VB30100SG-E3/8W
codice articolo del costruttore | VB30100SG-E3/8W |
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Numero di parte futuro | FT-VB30100SG-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB30100SG-E3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 350µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30100SG-E3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB30100SG-E3/8W-FT |
VS-20ETF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H100HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H60HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H60HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel