casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VB30100C-E3/4W
codice articolo del costruttore | VB30100C-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VB30100C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB30100C-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30100C-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB30100C-E3/4W-FT |
V10DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D202CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel