casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V10DM60C-M3/I
codice articolo del costruttore | V10DM60C-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V10DM60C-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V10DM60C-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AC (SMPD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10DM60C-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V10DM60C-M3/I-FT |
VS-30L30CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ025-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ025PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ030-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ030PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40CTQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40CTQ150-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40CTQ150PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40L15CT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel