casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V20DM150C-M3/I
codice articolo del costruttore | V20DM150C-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V20DM150C-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V20DM150C-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.24V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AC (SMPD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20DM150C-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V20DM150C-M3/I-FT |
VS-40CTQ150-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40CTQ150PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40L15CT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40L15CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-42CTQ030-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-42CTQ030PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ080GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100-011PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel