casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VB20150C-M3/8W
codice articolo del costruttore | VB20150C-M3/8W |
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Numero di parte futuro | FT-VB20150C-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB20150C-M3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20150C-M3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB20150C-M3/8W-FT |
VB30200C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2045CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT6045CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVB32-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel