casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V30D202C-M3/I
codice articolo del costruttore | V30D202C-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V30D202C-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V30D202C-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AC (SMPD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V30D202C-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V30D202C-M3/I-FT |
VS-30CTQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ080-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ080GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ080PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ100GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTT100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30L30CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ025-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel