casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V35PWM45HM3/I
codice articolo del costruttore | V35PWM45HM3/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-V35PWM45HM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V35PWM45HM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 670mV @ 35A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.1mA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 4020pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SlimDPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V35PWM45HM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V35PWM45HM3/I-FT |
VS-30WQ04FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel