casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-30WQ06FNTRRHM3
codice articolo del costruttore | VS-30WQ06FNTRRHM3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30WQ06FNTRRHM3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-30WQ06FNTRRHM3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 610mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 145pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30WQ06FNTRRHM3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30WQ06FNTRRHM3-FT |
VS-6EWX06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel