casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-30WQ06FN-M3
codice articolo del costruttore | VS-30WQ06FN-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30WQ06FN-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-30WQ06FN-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 610mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 145pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30WQ06FN-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30WQ06FN-M3-FT |
VS-6EWX06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel