casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V35PWM10HM3/I
codice articolo del costruttore | V35PWM10HM3/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-V35PWM10HM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V35PWM10HM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 35A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 2500pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SlimDPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V35PWM10HM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V35PWM10HM3/I-FT |
VS-30WQ04FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel