casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-30WQ04FNTR-M3
codice articolo del costruttore | VS-30WQ04FNTR-M3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-30WQ04FNTR-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-30WQ04FNTR-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 189pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30WQ04FNTR-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30WQ04FNTR-M3-FT |
VS-6EWH06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWH06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWH06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWH06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWL06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWL06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6EWX06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel