casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / US6J2TR
codice articolo del costruttore | US6J2TR |
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Numero di parte futuro | FT-US6J2TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US6J2TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | TUMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US6J2TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | US6J2TR-FT |
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