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Texas Instruments TPS1120DR

Numero parte MFG
TPS1120DR
quantità disponibile
68230 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.72464
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Data di spedizione
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fabbricante
Texas Instruments
Breve descrizione
- MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TPS1120DR specificazioni

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Numero di parte futuro FT-TPS1120DR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TPS1120DR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 15V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 840mW
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPS1120DR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TPS1120DR-FT

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