casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / CSD87312Q3E
codice articolo del costruttore | CSD87312Q3E |
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Numero di parte futuro | FT-CSD87312Q3E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD87312Q3E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 7A , 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 15V |
Potenza - Max | 2.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON (3.3x3.3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD87312Q3E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD87312Q3E-FT |
SI8902EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8901EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8904EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8900EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SISF00DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
TMC1620-TO
Trinamic Motion Control GmbH
TMC1320-LA
Trinamic Motion Control GmbH
TMC1420-LA
Trinamic Motion Control GmbH
SSM6N37CTD(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N7002BFU(T5L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
AGLN015V2-QNG68
Microsemi Corporation
XC2VP70-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ176M
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35F672C7
Intel
EP4CE40U19I7N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation