casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / US6J11TR
codice articolo del costruttore | US6J11TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-US6J11TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US6J11TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 6V |
Potenza - Max | 320mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | TUMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US6J11TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | US6J11TR-FT |
CSD87502Q2T
Texas Instruments
CSD88539NDT
Texas Instruments
TPS1120D
Texas Instruments
CSD88537ND
Texas Instruments
TPS1120DR
Texas Instruments
CSD88537NDT
Texas Instruments
CSD88539ND
Texas Instruments
TPS1120DG4
Texas Instruments
CSD85302LT
Texas Instruments
CSD85302L
Texas Instruments
LFEC1E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K70T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
Intel