casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / US1J-M3/5AT
codice articolo del costruttore | US1J-M3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-US1J-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US1J-M3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1J-M3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | US1J-M3/5AT-FT |
SA2D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2G-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2G-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2G-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2G-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2J-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2J-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2J-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2J-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel