casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SA2J-E3/61T
codice articolo del costruttore | SA2J-E3/61T |
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Numero di parte futuro | FT-SA2J-E3/61T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SA2J-E3/61T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SA2J-E3/61T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SA2J-E3/61T-FT |
BYS12-90-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS12-90-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1M-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2D-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2G-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2J-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel