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Renesas Electronics America UPA2825T1S-E2-AT

Name: UPA2825T1S-E2-AT
Brand: Renesas Electronics America
SKU: UPA2825T1S-E2-AT
Price: 0.3808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (494 reviews)

Numero parte MFG: UPA2825T1S-E2-AT

quantità disponibile: 93470 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.3808

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: UPA2825T1S-E2-AT.pdf

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UPA2825T1S-E2-AT specificazioni

codice articolo del costruttore	UPA2825T1S-E2-AT
Numero di parte futuro	FT-UPA2825T1S-E2-AT
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
UPA2825T1S-E2-AT Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
UPA2825T1S-E2-AT Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	UPA2825T1S-E2-AT-FT

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