casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / UP04878G0L
codice articolo del costruttore | UP04878G0L |
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Numero di parte futuro | FT-UP04878G0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UP04878G0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 3V |
Potenza - Max | 125mW |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini6-F2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UP04878G0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UP04878G0L-FT |
TT8K11TCR
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TT8K1TR
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Lattice Semiconductor Corporation
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XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144M
Microsemi Corporation
10M16DAF484I7G
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2SG
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10AX032E1F29I1SG
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EPF10K100ABC356-2
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