casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / TT8M3TR
codice articolo del costruttore | TT8M3TR |
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Numero di parte futuro | FT-TT8M3TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TT8M3TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A, 2.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 10V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSST |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TT8M3TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TT8M3TR-FT |
CSD88599Q5DC
Texas Instruments
CSD88584Q5DC
Texas Instruments
CSD88599Q5DCT
Texas Instruments
CSD87501L
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CSD87501LT
Texas Instruments
STS8DN6LF6AG
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STL65DN3LLH5
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STL15DN4F5
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STL40DN3LLH5
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STL66DN3LLH5
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A54SX08A-FTQ144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
10M08DCF256A7G
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EP3C16F256C6
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10AX032H2F35E2LG
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A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U3F45I2SG
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EPF10K200SBC356-1
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10M02DCV36C7G
Intel