casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / TT8M2TR
codice articolo del costruttore | TT8M2TR |
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Numero di parte futuro | FT-TT8M2TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TT8M2TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.25W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSST |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TT8M2TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TT8M2TR-FT |
CSD88584Q5DCT
Texas Instruments
CSD88599Q5DC
Texas Instruments
CSD88584Q5DC
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CSD88599Q5DCT
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CSD87501L
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CSD87501LT
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STS8DN6LF6AG
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STL65DN3LLH5
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STL15DN4F5
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STL40DN3LLH5
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A54SX08A-1FG144
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A54SX32A-1TQG176M
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M1AGL1000V2-FG484I
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LFE5UM5G-25F-8BG381C
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EP3SE80F1152I3
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A42MX16-TQG176
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A42MX09-FTQG176
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EP4SGX180DF29C2XN
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EPF10K100ABC356-3
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