casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR911NJ0L
codice articolo del costruttore | UNR911NJ0L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR911NJ0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR911NJ0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 125mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini3-F1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR911NJ0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR911NJ0L-FT |
UNR921EJ0L
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UNR921MJ0L
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UNR921NJ0L
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DRA3113Z0L
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DRA3114Y0L
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DRA3115E0L
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DRA3115G0L
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DRA3123E0L
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DRA3123J0L
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XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6K3F40C4N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX550T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
XC2VP50-6FF1152I
Xilinx Inc.
AGL250V2-CS196
Microsemi Corporation
EP20K400ERI240-3
Intel
EP20K160EQC208-2N
Intel