casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA3115E0L
codice articolo del costruttore | DRA3115E0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRA3115E0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA3115E0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSSMini3-F2-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3115E0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA3115E0L-FT |
PDTA144VK,115
NXP USA Inc.
PDTA144WK,115
NXP USA Inc.
PDTA323TK,115
NXP USA Inc.
PDTB113EK,115
NXP USA Inc.
PDTB113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTB123EK,115
NXP USA Inc.
PDTB123TK,115
NXP USA Inc.
PDTB123YK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,135
NXP USA Inc.
AGLN030V5-ZQNG68
Microsemi Corporation
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-N3FG484I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-1PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484C8G
Intel
LFEC10E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel