casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR51A1G0L
codice articolo del costruttore | UNR51A1G0L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR51A1G0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR51A1G0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-85 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-F2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR51A1G0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR51A1G0L-FT |
DRC5144W0L
Panasonic Electronic Components
DRC5152Z0L
Panasonic Electronic Components
DRC5643T0L
Panasonic Electronic Components
DRA5113Z0L
Panasonic Electronic Components
DRA5115G0L
Panasonic Electronic Components
DRA5115T0L
Panasonic Electronic Components
DRA5123E0L
Panasonic Electronic Components
DRA5123J0L
Panasonic Electronic Components
DRA5124E0L
Panasonic Electronic Components
DRA5124T0L
Panasonic Electronic Components
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC4013E-2PQ208C
Xilinx Inc.
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2LN
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation