casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA5115G0L
codice articolo del costruttore | DRA5115G0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRA5115G0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA5115G0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-85 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-F2-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA5115G0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA5115G0L-FT |
DTD114GKT146
Rohm Semiconductor
DTD123EKT146
Rohm Semiconductor
DTD143EKFRAT146
Rohm Semiconductor
DTA114WKAT146
Rohm Semiconductor
DTA115GKAT146
Rohm Semiconductor
DTA115TKAT146
Rohm Semiconductor
DTA124GKAT146
Rohm Semiconductor
DTA124TKAT146
Rohm Semiconductor
DTA125TKAT146
Rohm Semiconductor
DTA143EKAT246
Rohm Semiconductor
LFE2-70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E3F27E2LG
Intel
XC7VX485T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8N
Intel
5CEBA2U15I7
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EPF10K200SRC240-3N
Intel
EPF10K50VQI240-2N
Intel
EPF6016AFC100-1
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