casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA5123E0L
codice articolo del costruttore | DRA5123E0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRA5123E0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA5123E0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-85 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-F2-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA5123E0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA5123E0L-FT |
DTD143EKFRAT146
Rohm Semiconductor
DTA114WKAT146
Rohm Semiconductor
DTA115GKAT146
Rohm Semiconductor
DTA115TKAT146
Rohm Semiconductor
DTA124GKAT146
Rohm Semiconductor
DTA124TKAT146
Rohm Semiconductor
DTA125TKAT146
Rohm Semiconductor
DTA143EKAT246
Rohm Semiconductor
DTA144GKAT146
Rohm Semiconductor
DTA144TKAT146
Rohm Semiconductor
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
XCVU080-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C4L
Intel
5SGXMB5R2F43C2LN
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel