casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / UMF8NTR
codice articolo del costruttore | UMF8NTR |
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Numero di parte futuro | FT-UMF8NTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UMF8NTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 15V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMF8NTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UMF8NTR-FT |
EMB11FHAT2R
Rohm Semiconductor
EMH9FHAT2R
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XC6SLX75-2FGG484C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
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