casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / IMX25T110
codice articolo del costruttore | IMX25T110 |
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Numero di parte futuro | FT-IMX25T110 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IMX25T110 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 3mA, 30mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 820 @ 4ma, 2V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 35MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMX25T110 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMX25T110-FT |
XP0460100L
Panasonic Electronic Components
XP0465400L
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XP0550100L
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XP0553100L
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AGLN250V2-ZCSG81I
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Microsemi Corporation
M1A3P400-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA5H2F35C1N
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XC5VLX110-3FFG1760C
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XC4044XL-1HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX330T-2FFG1761I
Xilinx Inc.
5AGXFA5H4F35I3
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EP4CGX30CF19C8
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