casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / PMBTA42DS,125
codice articolo del costruttore | PMBTA42DS,125 |
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Numero di parte futuro | FT-PMBTA42DS,125 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMBTA42DS,125 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V |
Potenza - Max | 420mW |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMBTA42DS,125 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMBTA42DS,125-FT |
XP0450600L
Panasonic Electronic Components
XP0460100L
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XP0465400L
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XC3S250E-4PQ208C
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XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
EP2C35U484C7
Intel
XC2VP20-5FF896I
Xilinx Inc.
XC7S6-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5F23I7N
Intel
EP4CE30F29I7
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