casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ULN2803ADWR
codice articolo del costruttore | ULN2803ADWR |
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Numero di parte futuro | FT-ULN2803ADWR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ULN2803ADWR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 8 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 18-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2803ADWR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ULN2803ADWR-FT |
HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMX2T108
Rohm Semiconductor
IMX8T108
Rohm Semiconductor
HN1C01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
BC807DS,115
Nexperia USA Inc.
BC817DPN,125
Nexperia USA Inc.
BC817DSF
Nexperia USA Inc.
BC847DS,115
Nexperia USA Inc.
BCM53DSX
Nexperia USA Inc.
BCM56DSF
Nexperia USA Inc.
LAE5UM-25F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EF672C1NGZ
Intel
EP2C5F256C7
Intel
EPF10K50EFC256-1
Intel
XC2VP30-6FF1152C
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQ160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1N
Intel