casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / IMX2T108
codice articolo del costruttore | IMX2T108 |
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Numero di parte futuro | FT-IMX2T108 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IMX2T108 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMX2T108 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMX2T108-FT |
CPH6501-TL-E
ON Semiconductor
HN4C06J-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
FFB2907A
ON Semiconductor
FFB5551
ON Semiconductor
XP0555300L
Panasonic Electronic Components
XP0640100L
Panasonic Electronic Components
FFB2227A
ON Semiconductor
BC847BS
ON Semiconductor
BC847S
ON Semiconductor
BC857S
ON Semiconductor
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel